Práctico transistores 2, ejercicio 4

Práctico transistores 2, ejercicio 4

de Rodrigo Javier Paganini Pesce -
Número de respuestas: 2

Buenas,

Una consulta, que vendría a ser V_Dsat?

Saludos y gracias

En respuesta a Rodrigo Javier Paganini Pesce

Re: Práctico transistores 2, ejercicio 4

de Nicolas Gammarano -
V_{Dsat} es la "tensión de saturación". Habitualmente denominada tensión de "pinch-off" (V_P).
Es la tensión de drain (drain-bulk en el caso del nMOS y bulk-drain y en caso del pMOS) a la cual el transistor empieza a estar en zona de saturación.

No confundirla con V_{DSsat} (nMOS) o V_{SDsat} (pMOS), que es la tensión de saturación drain-source (nMOS) o source-drain (pMOS).

Si usas las ecuaciones referidas al sustrato (bulk), tendrás que usar V_{Dsat}, mientras que si usas las ecuaciones referidas a la source, tendrás que usar V_{DSsat} o V_{SDsat} (ver las ecuaciones del transistor MOS en el EVA del curso).

En el caso del ejercicio 4 del práctico de transistores 2, en las Figuras 4.1 y 4.2, la source del transistor nMOS está al mismo punto que el bulk y entonces V_{Dsat} y V_{DSsat} coinciden.