Hola,
La hipotesis que se hace cuando se dice que la ganancia del espejo MOS esta dada por el cociente entre las relaciones de aspecto (W/L) de los transistores es que ambos transistores estan fabricados en la misma tecnologia. De hecho, la hipotesis usual es que estan fabricados uno pegado al otro en el mismo pedazo de silicio, por lo que VT, Cox y n son efectivamente los mismos y solo cambia el (W/L) entre ellos.
De hecho, algo que comenté en clase pero quizas no quedo claro, es que en la realidad se va un poco mas alla y se usan transistores no solo fabricados uno al lado del otro en el mismo pedazo de silicio, si no que se usan transistores identicos con el mismo tamaño y se conectan en paralelo para formar transistores todos del mismo largo L, pero mas o menos anchos (W) segun la cantidad que pongamos en paralelo.
Asi, si le llamamos Mu a ese transistor base o unitario que vamos a usar, y M1 es el transistor conectado como diodo y M2 es el transistor de salida, podemos armar M1 conectando N transistores Mu en paralelo y M2 conectando M transistores Mu en paralelo y por lo tanto vamos a tener un factor de copia M/N. Este método da mucha precision en el factor de copia que queremos lograr, particularmente frente a variaciones aleatorias en el proceso de fabricación (un tema que excede el alcance del curso).
Si queda alguna duda, no hay problema en revisar esto al comienzo de la próxima clase.
Saludos,
Pablo
y 
, asumiendo que los transistores no son iguales. Sin embargo, siguiendo con la hipótesis anterior entre los transistores, no veo porque los parámetros δ y 
de cada uno si son iguales, llevando a que no dependa de ellos la relación entre corrientes de entrada y salida.