Examen 19/12/2013-Ejercicio 1 Parte a

Examen 19/12/2013-Ejercicio 1 Parte a

de Alejandro Javier Goday Ruiz -
Número de respuestas: 2

Buenas: Tengo una duda respecto a R_{ON} (El valor de la resistencia a la cual equivale el MOS).

Muchas veces he visto:

R_{ON}=\frac{1}{\beta (V_{Gate-Source}-V_t)}

¿Es esta formula correcta cuando Bulk y source no están cortocircuitados  o en dicho caso debería ser V_{Gate-Bulk} en vez de V_{Gate-Source}   ?

En la solución del examen, cuando habla de V_{GB}:

¿Se están refirendo a V_{Gate-Bulk} o V_{Gate-Source} ? (Pregunto al margen de que los valores puedan coincidir)

No queda claro porque al Source le llaman B acá lamentablemente.

Saludos,

Alejandro.:


En respuesta a Alejandro Javier Goday Ruiz

Re: Examen 19/12/2013-Ejercicio 1 Parte a

de Pablo Aguirre -

Estimado,

La letra del ejercicio dice que se puede asumir que el borne B esta a tierra, por lo tanto estamos en el caso en que VSB = 0 y la formula de la solución es correcta ya que se deriva inmediatamente de la formula completa referida a sustrato: Ron^-1=beta.(VGB - (1+delta)VSB - Vt0)

La formula para la RON que pones también es correcta, siempre y cuando se este usando Vt=Vto + delta.VSB. No es dificil ver que ambas expresiones son la misma (resultado esperable ya que la RON de un MOS es una sola).

Por último, en todas las soluciones, cuando decimos VGB, estamos hablando de la tensión gate-bulk.

Saludos,

Pablo