Hola,
Entiendo estas comparando con la curva calculada con la ecuación que vimos en el curso.
Esa ecuación está deducida suponiendo el transistor en inversión fuerte. No modela ni la zona de inversión moderada ni la zona de inversión débil. Esto explica que no coincida para valores de VGB cercanos a Vt0 por encima de Vt0 y, por supuesto, tampoco por debajo de Vt0.
La diferencia que ven hacia valores altos de VGB tiene que ver con otros efectos que no estamos teniendo en cuenta en el modelo. En el modelo suponemos la movilidad constante, pero para valores altos del campo eléctrico horizontal (VD altos) juega el efecto de saturación de velocidad de los portadores (que mencionamos en el curso cuando definimos que era la movilidad) y la velocidad ya no es proporcional al campo eléctrico. Además la movilidad también baja cuando el campo eléctrico vertical es alto (VGB alto). Por supuesto no es que supusiéramos que Uds debían saber o deducir esto, pero sin deducir esto, si uno está tratando de ajustar los datos experimentales a la curva teórica, uno puede ver cuál es la zona en que los datos medidos siguen el andamiento de la curva teórica (por más que no sepa bien porqué se aparta).
Saludos,
Fernando