Hola Camila,
Lo que describís da indicio a que en tu circuito que hay dos posibles errores
1) Demasiada corriente para una condición de tensión umbral: por lo que no deben estar colocando correctamente un VBG = Vt0p, pareciera que están colocando VG=Vt0p (que no es lo mismo, ver por qué). Miren con cuidado cómo se inyectan los voltajes para el PMOS para esa parte.
2) "Gran" variación de ID con RD: Al tener "mucho" menos corriente para el caso con RD= 150k que para el caso con RD=2k2, sucede que el PMOS salió de la zona de saturación, por lo que la corriente disminuyó con VBD. Verifiquen la zona de operación del transistor PMOS para estos dos casos y tengan certeza sobre en qué zona opera. Vean con cuidado las condiciones de saturación y zona lineal, porque el PMOS tiene condiciones diferentes a las NMOS.
Creo que estas dos observaciones ayudarán a resolver el problema.
Saludos,
Germán
Lo que describís da indicio a que en tu circuito que hay dos posibles errores
1) Demasiada corriente para una condición de tensión umbral: por lo que no deben estar colocando correctamente un VBG = Vt0p, pareciera que están colocando VG=Vt0p (que no es lo mismo, ver por qué). Miren con cuidado cómo se inyectan los voltajes para el PMOS para esa parte.
2) "Gran" variación de ID con RD: Al tener "mucho" menos corriente para el caso con RD= 150k que para el caso con RD=2k2, sucede que el PMOS salió de la zona de saturación, por lo que la corriente disminuyó con VBD. Verifiquen la zona de operación del transistor PMOS para estos dos casos y tengan certeza sobre en qué zona opera. Vean con cuidado las condiciones de saturación y zona lineal, porque el PMOS tiene condiciones diferentes a las NMOS.
Creo que estas dos observaciones ayudarán a resolver el problema.
Saludos,
Germán