Buenas,
Con mi equipo logramos medir el Vt0 experimental para el circuito que contiene el pMOS, pero al poner este valor en la entrada e intentar medir la diferencia de potencial entre los extremos de la resistencia (para luego calcular la corriente), notamos que el valor de la corriente obtenido cambia si cambiamos la resistencia. Este cambio es significativo, pasa de mili a micro.
Al probar con una resistencia de 2200 ohm obtuvimos una diferencia de potencial de 3.7 V y una corriente del orden de mA.
Al probar con una resistencia de 150000 ohm obtuuvimos una diferencia de potencial de 4.9 V y una corriente del orden de uA. En esta última medida nos llamó la atención la cercanía entre la diferencia de potencial entre los bornes de la resistencia y el valor de VDD utilizado (5 V).
Entendemos que este comportamiento no es correcto pero no logramos visualizar el error. Comprobamos que el circuito con nMOS no tiene este problema y ya intentamos desconectar y volver a conectar el circuito del pMOS.
Entendemos que es díficil solucionar este tipo de problemas por esta vía pero quizás a algún otro equipo le pasó algo parecido y tienen alguna idea o sugerencia.
Desde ya muchas gracias,
Camila