No me queda claro por que al polarizar un transistor bipolar generalmente se toma VB = 3VBEon.
¿Es incorrecto imponer una tensión en el emisor VE y a partir de ella hallar VB = VBEon + VE?
Gracias.
Duda criterio de elección para la tensión de base
Número de respuestas: 1
En respuesta a Francisco Galietta Castellano
Re: Duda criterio de elección para la tensión de base
de Linder Reyes -
Buenas tardes Francisco,
El criterio de tomar VB =3VBEon se usa para el caso en que se desea fijar la corriente DC por el transistor (IC) a partir de una resistencia de emisor RE.
Para este caso, suponiendo Beta >> 1 ; IC ~ IE = VE/RE = (VB - VBEon)/RE.
Se desea que esta corriente sea independiente de las variaciones de los parámetros de los transistores, en este caso particular las variaciones del VBEon.
Dichas variaciones (deltaVBEon) se pueden considerar en el entorno de los 150-200mV (VBEon ~ 0.5-0.7 V).
Por lo cual un criterio de diseño es fijar el valor de VE en un valor mucho mayor a estas variaciones es decir VE > = 10*deltaVBEon = 1.5 - 2 V ~ 2VBEon - 3VBEon y entonces VB >= 3-4 VBEon.
Saludos
Linder
El criterio de tomar VB =3VBEon se usa para el caso en que se desea fijar la corriente DC por el transistor (IC) a partir de una resistencia de emisor RE.
Para este caso, suponiendo Beta >> 1 ; IC ~ IE = VE/RE = (VB - VBEon)/RE.
Se desea que esta corriente sea independiente de las variaciones de los parámetros de los transistores, en este caso particular las variaciones del VBEon.
Dichas variaciones (deltaVBEon) se pueden considerar en el entorno de los 150-200mV (VBEon ~ 0.5-0.7 V).
Por lo cual un criterio de diseño es fijar el valor de VE en un valor mucho mayor a estas variaciones es decir VE > = 10*deltaVBEon = 1.5 - 2 V ~ 2VBEon - 3VBEon y entonces VB >= 3-4 VBEon.
Saludos
Linder