Buenas tardes.
A la hora de simular y medir ID, corriente DC por el transistor, vemos una diferencia entre lo esperado teóricamente y lo observado. Entendemos que existen factores propios de la construcción del circuito. Luego de contemplar dichas diferencias, aún vemos una corriente distinta a la esperada.A modo de cuantificar lo planteado:
En lo simulado, teniendo en cuenta los valores de resistencia utilizados, esperamos una corriente de 496uA y nos da 491uA.
En las medidas, teniendo en cuenta que las resistencias no son ideales, y luego de haber medido Rd, esperamos 485uA y obtenemos 456uA
Concluimos que se debe a que VGB=2,14V - 2,15V está muy cerca de VT0=1,1V, y por lo tanto, el modelo teórico utilizado no aproxima bien la realidad.
Queremos saber si está bien esa conclusión o la diferencia viene por algún error, o debida a alguna otra cosa
Muchas gracias.