Ejercicio 6 Práctico 5

Re: Ejercicio 6 Práctico 5

de Nicolas Gammarano -
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Para V_{GS}=-10\:V, el transistor tiene una curva de I_{D} vs. V_{DS} (y no solamente un valor de I_{D} asociado).
V_{GS}=-10\:V e I_{D}=-0.17\:A se refieren a las condiciones en las cuales fue medida R_{DS(on)}.

En la figura 5 (Typ. output characteristic) puedes ver I_{D} en función de V_{DS} para muchos valores de V_{GS}. En particular, está la asociada a V_{GS}=-10\:V (que es la curva L). En esta curva, se ve claramente que el transistor está en zona lineal (no en saturación) para V_{GS}=-10\:V e I_{D}=-0.1\:A, por lo que V_{SD}=R_{DS(on)}I_{D}.

Saludos