ElecFund: Ejercicio 6 Práctico 5

Disculpen vengo un poco atrasado con los prácticos pero me surgieron un par de dudas sobre este ejercicio.

Solución ej6 p5

Entiendo la idea general que es que si VBG es 0 (como en el caso que Vcntrl=Vdd) no se generaría carga de inversión, por lo tanto no habría corriente. Pero me surgen dudas respecto a la diferencia de potencial entre Drain y Source:

Si la entrada del Circuito está a Vdd, eso significaría que el voltaje de Drain es Vdd también, por lo tanto VDS =VBD - VBS = 0 y no habría corriente sin importar el Voltaje de Gate?

Por otro lado no encontré nada que me indicara el voltaje de umbral en la hoja de datos, ¿debería suponer que es 0?

Re: Ejercicio 6 Práctico 5

de Nicolas Gammarano - sábado, 4 de julio de 2020, 11:51

El tema es que la entrada del circuito (marcada como $V_{dd}$ ) no está al mismo voltaje que la alimentación $V_{dd}=10\:V$ . De hecho, va a ser $V_{dd}-V_{SD}$ . Ese "Vdd" solamente marca que es la alimentación del circuito.

La idea es que uses la $r_{ds}$ de la hoja de datos para hallar $V_{SD}=r_{ds}I_{D}$ .

Saludos

Re: Ejercicio 6 Práctico 5

de Juan Gaston Garcia Rodriguez Da Silveira - sábado, 4 de julio de 2020, 18:49

Me quedó más claro ahora, gracias por responder.

Solamente me confunde que en la hoja de datos se asocia el valor de VGS=-10v a la corriente ID=-0.17A. Sin embargo ID es 100mA en nuestro problema, ¿esto quiere decir que ya no vale la ecuación de saturación?. Ya que en este caso VBS=0 entonces ID debería depender solamente de VBG ( y los demás parámetros fijos del transistor).

Re: Ejercicio 6 Práctico 5

de Nicolas Gammarano - sábado, 4 de julio de 2020, 23:45

Para $V_{GS}=-10\:V$ , el transistor tiene una curva de $I_{D}$ vs. $V_{DS}$ (y no solamente un valor de $I_{D}$ asociado).
$V_{GS}=-10\:V$ e $I_{D}=-0.17\:A$ se refieren a las condiciones en las cuales fue medida $R_{DS(on)}$ .

En la figura 5 (Typ. output characteristic) puedes ver $I_{D}$ en función de $V_{DS}$ para muchos valores de $V_{GS}$ . En particular, está la asociada a $V_{GS}=-10\:V$ (que es la curva L). En esta curva, se ve claramente que el transistor está en zona lineal (no en saturación) para $V_{GS}=-10\:V$ e $I_{D}=-0.1\:A$ , por lo que $V_{SD}=R_{DS(on)}I_{D}$ .

Saludos