Estimados/as estudiantes,
A partir de la consulta de hoy, y de preguntas que se reiteraron queríamos hacer algunas aclaraciones
1 - Ni el modelo que usamos del transistor con las ecuaciones vistas en el teórico, ni los parámetros que les damos son perfectos. Por lo tanto, es de esperar que existan diferencias entre la calculado a nivel teórico y lo simulado.
2- En la parte III del laboratorio, cuando estiman la residencia de ON de la llave analógica a partir de la carga RC, se esta obteniendo un error también. Una forma de disminuir dicho error es usar un escalón de menor amplitud.
3 - Para saber si la estimación que están haciendo es correcta, se puede hacer una “medida” de la resistencia ON por otro camino. Para ello ponen en serie con la llave una resistencia de 1 Ohm. Miden la caída en dicha resistencia para asi conocer la corriente. Luego dividiendo la caída de potencial en la llave por dicha corriente, van a tener una estimación de la resistencia de ON en función del tiempo. Si bien el LTSPICE les da la opción de plotear las corrientes, cuando uno va a hacer medidas de un circuito real, en general no tiene acceso a corrientes, y en general solo se miden tensiones. Por esa razón, en lugar de pedirles simplemente que grafiquen la corriente por la llave les pedimos que la vean de forma indirecta como la caída en una resistencia.
4 - Para calcular la RON teórica, no se olviden de incluir el termino (n*VSB) en dicha ecuación.
Pablo