Hola,
1) "la resistencia parasita que agrega la misma (1Mohm) " se refiere a la resistencia parásita, R interna, del canal del osciloscopio.
Como bien decis, con el circuito en su funcionamiento normal, como la corriente DC hacia el gate del transistor es 0, la corriente por RF, y por tanto la caida en RF, son 0. Si uno pone la punta del osciloscopio entre el gate de M4 y tierra, esta colocando allí una R de 1MOhm. Esto va a alterar significativamente la tensión de drain DC de M4: en funcionamiento normal, sin conectar el osciloscopio en el gate, como la caida en RF es 0, la tensión de drain de M4 en DC es igual a la tensión DC de gate. Poniendo la punta del osciloscopio, debido al divisor resistivo entre las dos resistencias de 1 MOhm, la tensión DC del drain de M4 será el doble de la tensión DC del gate de M4, lo que puede llegar a sacar de saturación a M2 y cambiar mucho el comportamiento del circuito. Además estamos alterando, mínimamente la corriente de drain debido a la corriente que circula por esta serie de 2 MOhm. De hecho esto es algo que pueden verificar y analizar en simulación (o experimentalmente en el circuito), al igual que otras dudas del estilo: qué pasa si ... ?
2) Por lo visto en 1, no vamos a medir directamente la tensión DC en el gate. Si vamos a medir la tensión en el drain de M4. La tensión DC en Vout será 0. No es que no lo sepamos. Sabemos que el C en DC es un circuito abierto y por tanto la corriente DC por RL es 0 y por tanto la caida DC en RL es 0 y por tanto VoutDC = 0, cosa que pueden comprobar.
Saludos,
Fernando