Estimados
El martes que viene a las 18 hs hay una defensa de proyecto de fin de carrera relevante para la asignatura pero mucho mas para aquellos que estén considerando presentarse al llamado docente abierto estos días para trabajar en nuestro grupo.
https://www.fing.edu.uy/llamados (al final de este mensaje se reproduce la info relevante)
-------- Mensaje reenviado --------
| Asunto: | Fwd: "SiC: del cristal al convertidor" – invitación a defensa de proyecto de fin de carrera. |
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| Fecha: | Wed, 26 Jul 2017 10:48:26 -0300 |
| De: | Secretaria IIE <secretaria_iie@fing.edu.uy> |
| Para: | todos_iie@fing.edu.uy, todos_if@fing.edu.uy |
Estimados todos,
Tenemos el gusto de invitarlos a la defensa del proyecto de fin de carrera realizado por Santiago Eizaguirre y Andrés Seré.
Título:
"SiC: del cristal al convertidor"
Integrantes del grupo de proyecto:
Andrés Seré
Santiago Eizaguirre
Tutor: César Briozzo
Tribunal:
Gonzalo Casaravilla
Virginia Echinope
Ricardo Marotti
Fernando Silveira
Fecha, hora y lugar:
Martes 1 de agosto a las 18:30hs en el salón B21 (Edificio Polifuncional José Luis Massera)
Resumen:
La conversión de energía que atañe a la Electrónica de Potencia necesita de un elemento fundamental: la llave. Este dispositivo debe idealmente conmutar de forma instantánea entre dos estados y para ello no requerir más que información. En uno de los estados se requiere bloquear una tensión determinada sin permitir el paso de corriente, mientras que en el otro se debe comportar como conductor ideal. Desde el comienzo de la Electrónica de Potencia hasta hoy, los dispositivos han sido desarrollados en base al silicio (Si), y están alcanzando sus límites teóricos de acercamiento a la llave ideal. Esto impone restricciones a la mejora de eficiencia, tamaño, peso, y potencia convertida.
En los últimos años se ha incrementado a nivel mundial el interés en el carburo de silicio (SiC), semiconductor que posee numerosas ventajas frente al silicio (Si) en cuanto a la construcción de llaves de Electrónica de Potencia. Algunas de ellas son menores tiempos de conmutación, menor resistencia térmica, mayor tolerancia a la temperatura y mayor energı́a de gap. En los pocos años que lleva el carburo de silicio en el mercado ha demostrado superar los lı́mites teóricos ya conocidos para el silicio, motivando aún más la investigación del empleo de dispositivos de este material, sin antecedentes en el paı́s.
En este trabajo se resumen, en primera instancia, las propiedades más importantes del carburo de silicio como semiconductor, relacionándolas con sus caracterı́sticas fı́sicas. Posteriormente, y como eje central, se propone diseñar y construir un convertidor DC-DC didáctico y modular (es decir que tiene la flexibilidad de poder modificar su topologı́a a cualquiera de los tipos Buck, Boost y Buck-Boost). La llave utilizada será un dispositivo inexistente en Si, novedad propia del SiC. Se trata un JFET de potencia, que se comanda en configuración cascode, y del cual se muestra su operación hasta en 500 kHz. Se trata de que el convertidor no sólo constituya una herramienta de aprendizaje para los estudiantes sino que además sirva de insumo para otros proyectos del Laboratorio de Electrónica de Potencia.
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LLAMADO Nº 60/2017
Exp. 060180-001413-17
Se llama a aspirantes para la designación en cargos (Tipo II: Tecnológico) de AYUDANTE (Grado 1, 20 horas semanales) en carácter de interinos o contratados, del Departamento de Potencia del INSTITUTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA y confeccionar una lista con orden de prelación con validez por un período de seis meses.
Este llamado tiene por finalidad confeccionar una lista de los aspirantes aptos para la función en orden de calificación según sus méritos. De acuerdo a las necesidades de docentes y a las posibilidades de financiamiento, el Consejo procederá a designar a las personas que figuran en dicha lista en el Servicio para el cual fue hecho el llamado. Se respetará el orden de prelación establecido durante seis meses, a contar desde la fecha de aprobación de la lista.
BASES GENERALES:
Serán las establecidas en el Estatuto del Personal Docente de la Universidad de la República y la Ordenanza del Personal Docente de la Facultad de Ingeniería. La evaluación de los méritos se hará teniendo presentes los criterios establecidos en la Ordenanza de Concursos para la provisión de cargos docentes de la Facultad de Ingeniería. Las solicitudes de inscripción acompañadas de la relación completa de los méritos y antecedentes, incluida la documentación probatoria de los mismos, deberán ser presentadas por los aspirantes o por apoderado notarial.
BASES PARTICULARES:
ORIENTACIÓN:
Ingeniería Eléctrica.
MATERIAS AFINES:
Fundamentos de Ingeniería Eléctrica, Matemática y Física.
FUNCIONES ESPECÍFICAS:
Participación en los cursos dictados por el Departamento de Potencia del Instituto de Ingeniería Eléctrica, en particular en el área de electrónica de potencia.
Integración a los Grupos de Trabajo del Departamento.
COMISIÓN ASESORA:
César Briozzo, Gonzalo Casaravilla y Virginia Echinope.