Hola,
Supongo te refieres a que se expresa gm de los transistores Q1 y Q2 como (Io+vi/RP)/VT.
De ser así la idea es la misma que usamos en el análisis que realizamos en el teórico del par difencial como multiplicador (circuito no lineal).
Donde en una primera aproximación usamos un modelo de primer orden para la corriente por los transistores Q1 y Q2 en lugar de las exponenciales.
En este caso el gm varía por variar la corriente impuesta por la fuente de corriente. Esto de hecho da nombre al mecanismo que genera la multiplicación (multiplicación por transconductancia variable).
Saludos
Linder
Supongo te refieres a que se expresa gm de los transistores Q1 y Q2 como (Io+vi/RP)/VT.
De ser así la idea es la misma que usamos en el análisis que realizamos en el teórico del par difencial como multiplicador (circuito no lineal).
Donde en una primera aproximación usamos un modelo de primer orden para la corriente por los transistores Q1 y Q2 en lugar de las exponenciales.
En este caso el gm varía por variar la corriente impuesta por la fuente de corriente. Esto de hecho da nombre al mecanismo que genera la multiplicación (multiplicación por transconductancia variable).
Saludos
Linder